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一文看懂 DBC 直接覆铜陶瓷基板：结构、工艺与应用全解析
直接覆铜陶瓷基板(DBC)是一种将高绝缘性的氧化铝(AI2O3)或氮化铝(AIN)陶瓷基板覆上铜金属的新型复合材料。它是通过在高温下将铜与陶瓷表面直接结合而成的，无需中间层或粘合剂。根据陶瓷材料的不同,DBC基板可以分为氧化铝直接覆铜基板(AI2O3-DBC)和氮化铝直接覆铜基板(AIN-DBC)。如今被广泛应用于大功率电力电子模块中，如汽车电子、IGBT、激光器（LD）和聚焦光伏（CPV）等。
直接覆铜陶瓷基板（DBC）：高功率电子的核心散热解决方案
1. 技术原理与材料革新
DBC（Direct Bonded Copper）是一种通过高温共晶技术将铜箔直接键合到氧化铝（Al₂O₃）或氮化铝（AlN）陶瓷基板表面的复合材料。其核心工艺突破在于：
零中间层键合：无需粘合剂，通过铜与陶瓷的原子扩散形成冶金结合，确保界面热阻 < 1.0 K・cm²/W；
双材料协同优势：陶瓷提供高绝缘性（>10 kV/mm）与化学稳定性，铜层实现优异导电性（IACS≥98%）与导热性（Al₂O₃-DBC 导热率≈24 W/(m・K)，AlN-DBC≈170 W/(m・K)）。
2. 分类与性能对比
| 类型 | 导热率 | 热膨胀系数 | 绝缘强度 | 典型应用 |
|---|---|---|---|---|
| Al₂O₃-DBC | 24 W/(m·K) | 7.2×10⁻⁶/K | 15 kV/mm | IGBT 模块、LED 散热基板 |
| AlN-DBC | 170 W/(m·K) | 4.3×10⁻⁶/K | 12 kV/mm | 激光二极管、新能源汽车电机控制器 |
3. 核心优势解析
散热性能突破：铜层厚度可定制（0.1-3 mm），满足 100-1000 W/cm² 功率密度器件需求；
可靠性提升：耐高温冲击（-55℃~+250℃）、抗热疲劳（循环寿命 > 10⁶次），适用于严苛环境；
集成化设计：可实现精密线路图形（线宽 / 线距≤50 μm），支持多芯片封装。
一、DBC工艺流程、材料及原理
1、工艺流程
陶瓷基片和铜箔的清洗烘干→铜箔预处理→铜箔与陶瓷基片的高温共晶键合→冷热阶梯循环冷却→质检→按要求刻蚀图形→化学镀镍(或镀金)→质检→激光划片、切割→成品质检→真空或充氮气包装→入成品库。
虽然 DBC 基板在实际应用中有诸多优势，但在制备过程中要严格控制共品温度及氧含量，对设备和工艺控制要求较高，生产成本也较高。此外，由于厚铜刻蚀限制，无法制备出高精度线路层。
DBC 工艺原理与材料特性
1. 高温共晶键合机制
反应条件：在 1065~1083℃下，铜箔与陶瓷（Al₂O₃/AlN）表面通过氧元素形成 Cu-O 共晶液
冶金结合：
生成中间相（CuAlO₂或 CuAl₂O₄）
铜层与陶瓷实现原子级键合，界面结合强度 > 40 MPa
DBC 基板核心材料对比
| 材料 | Al₂O₃ | AlN |
|---|---|---|
| 热导率 | 24 W/(m·K) | 170 W/(m·K) |
| 热膨胀系数 | 7.2×10⁻⁶/K | 4.3×10⁻⁶/K |
| 绝缘强度 | 15 kV/mm | 12 kV/mm |
| 成本 | 低 | 高 |
| 典型应用 | 中功率 LED、常规 IGBT 模块 | 激光器、新能源汽车电机控制器、真空电子器件 |
关键特性解析
氧化铝Al₂O₃陶瓷基板
优势：高绝缘性（10¹³ Ω・cm）、化学惰性、机械强度（抗弯强度 350 MPa）
局限：热导率仅为 AlN 的 14%，与 Si（3.5×10⁻⁶/K）热膨胀系数失配率超 100%
氮化铝AlN陶瓷基板
性能突破：
热导率接近铜的 1/10（Cu=401 W/(m・K)）
热膨胀系数与 GaN（5.5×10⁻⁶/K）匹配度达 80%
特殊优势：
低二次电子发射系数（δ<1.0），适用于高功率真空器件输能窗口
无毒性（对比 BeO 陶瓷），符合环保要求
DBC 工艺核心特性与工程价值
1. 绝缘性能
| 材料类型 | 绝缘强度 | 绝缘电阻 | 应用优势 |
|---|---|---|---|
| Al₂O₃-DBC | 15 kV/mm | >10¹³ Ω·cm | 高压变频器、电焊机安全隔离 |
| AlN-DBC | 20 kV/mm | >10¹³ Ω·cm | 激光二极管高压驱动防护 |
2. 热导性能
热导率：
Al₂O₃-DBC：24 W/(m・K)（铜层厚度 0.3 mm 时热阻≈0.5 K・cm²/W）
AlN-DBC：170 W/(m・K)（铜层厚度 0.6 mm 时热阻≈0.15 K・cm²/W）
散热效率：比传统 PCB 基板（导热率 <1 W/(m・K)）提升 100 倍以上
3. 热膨胀匹配
关键参数：
AlN 热膨胀系数：4.3×10⁻⁶/K（与 Si 的 3.5×10⁻⁶/K 匹配度达 80%）
Al₂O₃热膨胀系数：7.2×10⁻⁶/K（与 Si 失配率超 100%）
工程价值：
减少芯片封装热应力（应力值降低 40%~60%）
支持多芯片直接焊接（减少导热界面层）
4. 载流能力
铜层参数：
厚度范围：0.1~3 mm
载流量：1 mm 铜层可承载 100 A/cm（@温升 50℃）
典型应用：新能源汽车电机控制器（峰值电流 > 2000 A）
5. 图形化能力
精度指标：
最小线宽 / 线距：50 μm（常规工艺）
精细工艺：≤25 μm（适用于高密度封装）
设计自由度：支持复杂电路布局（如 IGBT 模块三相桥结构）
6. 界面结合力
附着力：>40 MPa（ASTM D3359 测试标准）
可靠性验证：
高温高湿测试：85℃/85% RH 环境下无剥离（1000 小时）
冷热冲击测试：-55℃~+250℃循环 10⁶次无失效
1. 电力电子领域
IGBT 模块封装
优势：0.3~3 mm 厚铜层（载流能力 > 100 A/cm）+ AlN 基板（热导率 170 W/(m・K)）
应用案例：
新能源汽车电机控制器（800 V 平台 IGBT 模块）
智能电网高压变频器（6.5 kV IGBT 模块）
功率混合电路
需求匹配：
高绝缘性（15~20 kV/mm）保障高压隔离
热膨胀系数与 Si 芯片（3.5×10⁻⁶/K）高度匹配
2. 光电子领域
| 应用场景 | DBC 技术价值 | 典型参数 |
|---|---|---|
| 半导体激光器（LD） | AlN 基板热导率 170 W/(m・K)，降低结温至 < 45℃ | 单管功率≥50 W，光束质量因子 M²<1.2 |
| CO₂激光器 | 铜层厚度 0.6 mm，实现均匀散热 | 输出功率 > 10 kW，电光转换效率 20% |
