随着LED技术的迅猛发展，功率型LED在照明、显示以及汽车电子等众多领域的应用愈发广泛。不过，功率型LED在工作过程中会产生大量热量，倘若散热难题无法得到有效解决，将会直接对其光效、使用寿命以及可靠性造成负面影响。

在LED的散热通道里，封装基板扮演着至关重要的角色，它是连接内部与外部散热通路的关键枢纽。封装基板不仅需要承担散热通道的重要功能，还要实现电路连接，并且为芯片提供物理支撑。

而DPC基板（直接镀铜陶瓷基板）脱颖而出，其具备高导热性能，能够快速将热量传导出去；拥有高精度线路，可确保电路连接的稳定性和可靠性；还具备优异的平整度，有利于保证封装的质量和性能。这些特性使得DPC基板能够完美契合功率型LED的封装需求。

一、DPC工艺流程

DPC 陶瓷基板制备工艺：首先利用激光在陶瓷基片上制备通孔 (孔径一般为 60 μm ~ 120 μm)，随后利用超声波清洗陶瓷基片；采用磁控溅射技术在陶瓷基片表面 沉积金属种子层 (Ti/Cu)，接着通过光刻、显影完成线路层制作；采用电镀填孔和增 厚金属线路层，并通过表面处理提高基板可焊性与抗氧化性，最后去干膜、刻蚀种子 层完成基板制备。

二、DPC工艺与功率型LED适配点

DPC基板具备线路精准度高、表面平整度高等特性以及与LED芯片材料相匹配的热膨胀系数，因此成为功率型LED封装的理想选择。不仅能够满足小尺寸、高密度封装的设计需求，还能在高功率、高温环境下保持稳定性能，为功率型LED的高效散热和长期可靠性提供了强有力的支持。因此，DPC适用于功率型LED覆晶/共晶工艺，以下是DPC工艺与功率LED的适配点：

高精度线路加工能力

采用半导体微加工技术，实现线宽/线距低至30-50μm（与线路层厚度适配），支持微米级金属线路成型，满足功率型LED、高密度集成电路封装对精细布线的需求。

超精密表面处理工艺

通过电镀工艺精准控制线路层厚度（10-100μm），结合表面研磨技术使粗糙度≤0.1μm，保障高温/大电流场景下器件焊接的界面可靠性，适配金锡共晶、纳米银烧结等先进封装工艺。

低温制程与成本优势

全流程工艺温度低于300℃，避免传统高温共烧（HTCC）导致的材料热应力问题，同时降低能耗及加工成本，提升量产经济性。

三维异构集成能力

基于激光微孔（孔径50-150μm）与电镀填孔技术，实现基板双面垂直互连，支持倒装芯片（Flip-Chip）、COB、CSP等三维封装架构，助力器件微型化与系统集成度提升。

高效热管理特性

选用高导热陶瓷材料（Al₂O₃：24-28 W/m·K；AlN：170-230 W/m·K），构建低热阻（＜1.0℃·cm²/W）散热路径，确保功率器件结温稳定，光效衰减率降低40%以上。

高可靠性绝缘屏障

陶瓷基体介电强度≥15 kV/mm，体积电阻率＞10¹⁴ Ω·cm，满足10 kV级高压隔离需求，有效规避漏电流风险，适配车规级与工业级功率模块应用。

CTE自适应设计

基板热膨胀系数（CTE）可调范围6.5-7.5 ppm/℃（AlN基材），与GaN（5.6 ppm/℃）、Si（4.1 ppm/℃）等芯片材料高度匹配，热循环寿命提升至＞2000次（-40℃~150℃）。