转接板(Interposer)是一种用于实现芯片与基板之间互连的关键封装基板,是垂直互连技术的重要载体。其主要作用在于解决芯片输入/输出(I/O)端口与有机基板之间的尺寸失配问题,实现不同线宽和密度的信号传输路径之间的转换,从而推动多芯片集成、异质集成和高密度封装的发展。
根据材料的不同,转接板可分为以下几类:高分子转接板、硅转接板、玻璃转接板和陶瓷转接板等。每种材料各有特点,适用于不同的应用场景。
又称多层印刷电路板(PCB),兴起于20世纪60年代中期。其优点包括介电常数低、耐吸湿性好、密度低且成本低廉,但热导率较低,热膨胀系数与芯片材料差异较大,导致热应力问题突出,仅适用于对散热要求不高的消费电子产品领域。
由William Shockley于1958年首次提出,广泛应用于三维封装中。尽管硅转接板具有良好的工艺兼容性和图形精度,但由于加工成本高、承载电流能力有限,且存在漏电流、信号串扰等问题,主要适用于小电流、低功率器件,如CMOS图像传感器、射频模块、惯性传感器等。
作为新兴材料,玻璃转接板继承了硅转接板的加工工艺,具备可调热膨胀系数、介电常数低、表面平整度好、电阻率高等优点。然而,玻璃为硬脆材料,与金属热失配严重,易在加工过程中产生裂纹或翘曲,限制了其应用范围,主要用于高性能计算、射频器件、天线集成等领域。
陶瓷转接板是一种含有再布线层(RDL)和垂直通孔结构的陶瓷基板,具有优异的导热性、耐热性、高频特性及机械强度,能够满足功率器件对小型化、高可靠性、高集成度的需求。目前已被广泛应用于半导体照明(白光LED)、深紫外杀菌、激光与光通信、电力电子、高温传感、微波射频等多个领域。
相比其他材料,陶瓷转接板在性能上展现出显著优势:
陶瓷转接板作为高功率、高频器件三维封装的重要载体,其制备工艺直接影响性能和应用效果。目前主流的制备方法主要包括高/低温共烧陶瓷技术(HTCC/LTCC)和直接电镀铜陶瓷技术(DPC)。
因此,该技术更适合对精度要求相对较低、尺寸较大的应用场景。
DPC技术是一种融合了半导体微加工和先进电镀工艺的新型陶瓷基板制造技术,特别适用于高密度、高集成度的功率电子器件封装。
优势 | 描述 |
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高图形精度 | 采用半导体级曝光、显影工艺,线路精度可达 30~50 μm,满足小型化需求; |
垂直互连能力强 | 激光打孔+电镀填孔技术实现高质量垂直导通,提升集成度; |
大电流承载能力 | 线路厚度范围为 10~1000 μm,显著增强载流能力; |
工艺温度低 | 整体制程温度低于 300℃,兼容多种陶瓷材料(如AlN、SiC等); |
可拓展性强 | 支持三维DPC结构,如通过多次电镀构建铜围坝结构,满足光学器件气密封装需求; |
工艺兼容性好 | 无需高温烧结,避免了材料间的热应力问题,提高成品率和可靠性。 |
凭借优异的导热性、耐热性、高频特性以及高集成度,DPC陶瓷基板正逐步替代传统HTCC/LTCC基板,成为功率半导体、高温电子、射频器件、光电模块等领域的重要封装平台。该技术代表了陶瓷封装技术的发展方向,近年来产业应用迅速扩展,已成为先进封装技术体系中的关键组成部分。
技术类型 | HTCC/LTCC | DPC |
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成型方式 | 高温烧结 | 激光打孔 + 电镀 |
图形精度 | 较低(μm级以上) | 高(30~50 μm) |
通孔直径 | 0.1~0.3 mm(印刷)<br>0.05~0.10 mm(注入) | 可达50 μm以下 |
导热性 | 良好 | 优异 |
工艺温度 | 高(>1000℃) | 低(<300℃) |
成本 | 中等偏低 | 较高 |
适用领域 | 功率模块、传感器等 | 高密度封装、高频器件、光电封装等 |
随着功率电子、光通信、人工智能芯片等领域的快速发展,DPC陶瓷转接板因其优越的综合性能和良好的工艺适应性,正逐渐成为高端封装市场的主流选择。