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0.38mm超薄DPC陶瓷基板通孔的高可靠性填充

  • 陶瓷基板
  • DPC陶瓷基板
2025-07-03 17:34:24
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本文提出基于直接镀铜(DPC)技术的陶瓷基板制造新工艺,重点攻克大功率LED散热通孔的高可靠性填充难题。通过对比直流电镀一步法(适用≤0.2mm基板)、脉冲电镀一步法(实现0.38mm基板空洞率<0.5%)及脉冲电镀两步法(突破8:1深径比,空洞率<0.1%)三类技术,建立工艺参数-微观结构-热性能的映射关系。实验表明:优化方案使基板热阻降至0.15K/W,支持200W/cm²级散热需求,为高密度LED封装提供核心技术支持。


DPC填孔工艺流程图

制备大功率LED芯片基板的较佳方案是将DPC工艺和填通孔技术相结合,工艺流程如下图。



具体如下:               
(a)制备AlN陶瓷基片; (b)激光打孔;(c)磁控溅射过渡层;(d)过渡层上磁控溅射钛钨合金层;(e)溅射直接覆铜,获得双面薄层导电铜层;(f)通孔填充;(g)表面形成铜层线路;(h)电路表面进行加工。

电镀填通孔

是通过电化学沉积在通孔内形成致密铜柱的技术。铜的高热导率(398 W/(m·K))显著提升基板散热能力和结构可靠性。相较于其他填孔工艺(如导电浆料填充),电镀填铜可简化制程并降低生产成本。


技术分类:
电镀填通孔工艺主要分为三类:

直流电镀一步法

脉冲电镀一步法

脉冲电镀两步法


直流电镀一步法详解

优势工艺精简,只需单一电镀槽,降低设备投入与生产线复杂度。

局限性

影响因素      技术瓶颈表现数据支持
基板厚度填充能力随厚度增加急剧下降      ≤0.2mm厚基板可实现填充
深径比高深径比孔底部铜沉积不足孔径100μm/厚0.2mm:深径比2:1           
空洞缺陷厚度≥0.38mm时必然产生空洞空洞率>15%
生产效能填充时间指数级增长0.38mm基板耗时≈0.2mm基板的3倍     
直流电镀一步法仅适用于超薄基板(厚度≤0.20mm)。对于0.38mm标准厚度基板,该工艺无法实现无空洞填充,需采用进阶电镀技术。





2. 脉冲电镀一步法(PPR技术)

在有机添加剂协同作用下,采用正反向脉冲(Pulse Reverse Plating, PPR) 实现通孔高可靠性填充。相较于直流电镀的单参数(电流密度)调控,PPR技术通过三变量独立控制实现精准沉积:

正向电流密度(J<sub>f</sub>:3-8 ASD)

脉冲占空比(正向/反向时间比:1:1~4:1)

频率(50-1000 Hz)

通过复合波形设计(如阶梯波+方波),可动态优化孔内流场分布与沉积动力学。


技术机理与优势

过程  物理作用工艺效果
反向脉冲    阳极溶解孔口凸起铜层消除“狗骨效应”,平整表面(Ra<0.5μm)     
正向脉冲添加剂促进孔底优先成核孔内/板面沉积速率比>1.8 :1
复合波形抑制浓差极化,强化离子迁移   深孔底部铜离子浓度提升40%

该工艺可稳定填充 厚径比≤4:1 的通孔(如0.38mm厚/95μm孔径),但对>150μm的超小孔径需匹配超声辅助电镀。



3 脉冲电镀两步法

陶瓷基板上的通孔通常是激光钻孔并溅射导电层所得。如下图所示,先在1个特殊的异步反向脉冲波形下,结合特定的添加剂电镀铜,在孔中心形成桥接(搭桥),这样就将1个通孔分割成2个盲孔。再电镀填盲孔,填孔效果较好,空洞现象很少。但该法对添加剂和电镀参数的控制要求非常严格,对设备和操作人员的要求也很高,其常用参数和填孔效果见表3。




由上可知,直流电镀只适用于介质层厚度为100μm左右的通孔。

如果介质层厚度在0.38 mm及以上,采用脉冲电镀两步法的填通孔效果较好、更可靠,适用于做精细线路,但对设备和添加剂的要求较高。