用于芯片级封装的DPC陶瓷基板结构示意图

本产品采用先进的薄膜电路工艺（磁控溅射与电镀相结合），在高导热陶瓷基板上构建高精度二维线路与TCV垂直互连，并通过堆叠技术形成一体化3D金属框架。其铜/金层厚度可在1μm至1mm间灵活定制，并实现0.05mm的极小线距，为芯片级封装提供卓越的互连解决方案。

基于薄膜工艺的一体化3D陶瓷封装基板

核心技术：

精密金属化： 采用磁控溅射与图形电镀技术，实现陶瓷表面的高结合力金属化。

高密度互连： 融合微细2D线路（线距≥0.05mm）与TCV陶瓷通孔技术，实现芯片的双面垂直互连。

坚固一体化结构： 通过堆叠技术形成与陶瓷基体结合紧密的3D金属框架，结构可靠。

卓越性能：

定制化镀层： 铜、金层厚度可在1μm至1mm范围内任意定制，满足多样电气与热管理需求。

优异导热基础： 依托高导热陶瓷基体，确保芯片高效散热。

高可靠性： 为芯片提供气密性保护和高性能的互联平台。