HTCC是指,按电路设计要求,将钨、钼、钼、锰制成的高熔点金属浆料,通过丝网印刷,将电路印制在92~96%氧化铝陶瓷(含4%~8%的烧结助剂)生瓷片上,生瓷片经层压、切割等工序后,在1500至1600°C的高温下共烧结,从而得到多层陶瓷电路板。
薄膜电路陶瓷封装基板采用磁控溅射薄膜沉积结合电镀增厚技术制造。该工艺首先在高导热陶瓷基体表面进行薄膜金属化,并通过影像转移技术精确形成2D金属线路。
热导率(Thermal Conductivity,符号 k 或 λ)是表征材料自身导热能力的本征物理量,定义为:在单位温度梯度下,单位时间内通过材料单位面积的热量。其国际单位为 瓦特每米每开尔文(W/(m·K))。
氧化铍凭借其无与伦比的导热性、优异的电绝缘性和合适的热膨胀系数,仍在高功率半导体器件(如激光二极管、功率晶体管基片/封装)、航空航天及国防电子等对散热要求极端苛刻且安全可控的特殊领域发挥着不可替代的作用。
陶瓷覆铜基板 (Ceramic Copper-Clad Substrate) 是一种在陶瓷基片上通过特定工艺键合铜板的复合金属陶瓷材料。它融合了陶瓷优异的绝缘性、热稳定性和低热膨胀系数,以及金属铜的高导电、导热性能,同时具备良好的力学性能和易于装配的特点。