2 层氮化铝铜阶梯板产品解析

这是一款面向高功率、高可靠性场景的2 层氮化铝（AlN）陶瓷基板，核心是通过特殊工艺实现高效散热与精密电路集成，以下为详细解析：

核心规格参数表

关键工艺与材料优势

1. 氮化铝（AlN）陶瓷基材

高导热性：导热率可达 170–200 W/m・K，远优于氧化铝陶瓷，可快速疏散半导体激光器、射频器件等高功率元件产生的热量，避免热漂移、性能衰减。

热匹配性：热膨胀系数与硅基芯片高度匹配，能显著降低芯片与基板间的热应力，减少分层、开裂风险，提升器件长期可靠性。

高绝缘性与低损耗：具备优异的电气绝缘性能，且高频下介电损耗极低，适配射频、微波及光通信器件的信号传输需求。

2. 核心工艺亮点

电镀填平工艺：对 0.1mm 的微小过孔进行电镀铜填平处理，消除孔洞残留气泡，提升过孔导通稳定性，同时增强结构可靠性，满足高电流、高可靠性场景需求。

铜阶梯工艺：通过差异化铜厚 / 台阶设计，实现同一基板上不同区域的铜层厚度落差，适配器件不同功率区域的载流与散热需求，同时为封装、键合提供精准台阶结构。